摘要

采用具有磁性的Fe取代Cu2ZnSnS4(CZTS)中Zn组分,制备Cu2(Zn1-xFex)SnS4(CZFTS)薄膜。将电子传输层Bi2S3与CZFTS耦合,采用室温脉冲激光沉积技术(RT-PLD)制备了CZFTS/Bi2S3异质结构。研究了Fe掺杂对于CZFTS薄膜形貌、结晶度和吸光度的影响。测试了单层薄膜和异质结构的光电响应特性,实验表明与单层CZFTS薄膜相比,CZFTS/Bi2S3异质结在可见光区域内的光电响应速度至少提高了一个数量级,响应时间缩短至几十ms。

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