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摘要
理想的红外光电材料可以在整个红外区(0.01～1.24 eV)产生红外光响应信号。本文结合特殊准无序结构(SQS)模型和第一性原理计算，研究了AgBiS2的有序与无序结构的光电性质，预测了其有序-无序结构红外光响应的能量区间。计算结果表明，通过改变Ag和Bi占据位置的无序度，可以调控AgBiS2的光学带隙，令其在0.33～1.46e V范围内连续可调，从而实现大部分中红外、近红外区的光电响应。每分子完全有序和完全无序AgBiS2之间的相转变只需0.11e V·(f.u.)-1，即仅通过控制合成温度，就可以精确调控AgBiS2的带隙，从而进一步控制其在可见-红外区的响应范围。
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