本发明公开了一种高线性HEMT器件,自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、势垒层以及金属电极层,所述金属电极层从左至右依次包括源电极、栅电极以及漏电极；其中,所述势垒层包括依次均匀排列的若干氟掺杂区(F1～Fm),m为正整数且m≥2。本发明提供的高线性HEMT器件通过栅电极下势垒层不同浓度氟掺杂区域跨导相互补偿,能实现在较大栅源偏压范围内跨导的相对稳定,无需对器件和材料结构进行大量调整便可使器件具有很好的线性度。
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