摘要
本发明公开了一种以二维全无机钙钛矿材料为半导体层的钙钛矿晶体管,主要解决传统钙钛矿晶体管电荷迁移率低,稳定性差的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘层(3)和半导体层(5),绝缘层(3)中包裹有栅电极(2),半导体层(5)中包裹有对称的源漏电极(4)。该半导体层采用二维全无机钙钛矿Cs2PbX4,X为I-以及Br-、Cl-、(I_nBr1-n)-、(Cl_nI1-n)-、(Cl_nBr1-n)-、(I1-n-mBr_nClm)-中的任意一种离子。本发明去除了传统钙钛矿晶体管中的有机阳离子,提升了电荷寿命和电荷迁移率,提高了钙钛矿晶体管的电学性能和稳定性,可用于制作光电器件及相关光电集成电路。
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