一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构

作者：高闻浩; 孙启明; 冉晴月; 简鹏; 陈文锁^*

来源：微电子学, 2021, 51(01): 116-120.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200204

• 肖特基势垒二极管
• 击穿电压
• 漏电流
• 正向导通压降

提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证。与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层,将反向击穿点从常规结构的PN结保护环区域转移到肖特基势垒区域,提升了反向静电释放(ESD)能力和抗反向浪涌能力,提高了器件的可靠性。与现有表面缓冲掺杂层(ISBD)高压SBD相比,该IBBD-SBD重新优化了漂移区的纵向电场分布形状,在保持反向击穿点发生在肖特基势垒区域的前提下,进一步降低反向漏电流、减小正向导通压降,从而降低了器件功耗。仿真结果表明,新器件的击穿电压为118 V。反向偏置电压为60 V时,与ISBD-SBD相比,该IBBD-SBD的漏电流降低了52.2%,正向导通电压更低。

• 单位
  重庆大学; 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室