(111)方向的InAs/GaSb超晶格材料电子结构的杂化泛函计算（英文）

作者：姚路驰; 周孝好; 陈效双

来源：红外与毫米波学报, 2016, 35(06): 646-651.

• 第一性原理方法
• 杂化泛函
• Ⅱ类超晶格
• 能带计算

采用电子密度泛函理论方法计算了一系列(111)方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)杂化与对固体修正的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)近似结合的杂化泛函显示了较传统PBE方法和若干其他杂化泛函更符合实验数据的结果.采用该方法研究了InAs/GaSb超晶格的带隙随超晶格周期厚度以及InAs/GaSb比例变化的规律.其结果与以往实验结果符合很好.这些结果表明HSE-PBEsol方法对于估计InAs/GaSb超晶格的电子性质适用.

• 单位
  中国科学院大学; 红外物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所