一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法

作者：许伟; 彭俊彪; 宁洪龙; 姚日晖

来源：2020-12-11, 中国, CN202011442146.3.

本发明公开了一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法。本发明采用酸溶液对全有机薄膜晶体管器件的PEDOT：PSS源漏电极进行酸处理,使电极的导电率(σ-(dc))从2.69S/cm提高到5.52×10～2S/cm,全有机薄膜晶体管器件的载流子高达1.36cm～2V～(-1)s～(-1),超过了非晶硅的载流子迁移率。

• 单位
  华南理工大学