氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响

作者：李静杰; 付宏远; 周毅坚; 项国姣; 张子旭; 赵洋; 李新忠; 王辉^*

来源：半导体技术, 2019, 44(11): 888-892.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.011

• CuO薄膜
• 磁控溅射
• 氧氩比
• 晶体结构
• 光电特性

采用射频磁控溅射法利用铜靶在硅片和蓝宝石衬底上制备CuO薄膜,研究氧氩比对CuO薄膜的晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果显示,较低的氧氩比下,薄膜样品由Cu2O和CuO组成;在氧氩比达到5∶35时,薄膜成份仅为CuO;且随着氧氩比的增加,CuO薄膜由(002)取向逐渐转向(111)取向。扫描电子显微镜图像显示CuO薄膜均匀,随氧氩比增加晶粒尺寸逐渐变小。光学测试结果显示,CuO薄膜在近红外区域具有良好的透射性,利用吸收值经过线性外推法测得禁带宽度为1.6～1.8 eV。电学测试结果显示,制备的薄膜样品均为p型导电;且随氧氩比的增加,CuO薄膜样品迁移率由0.027 cm2/(V·s)增加至0.201 cm2/(V·s),载流子浓度由近1021 cm-3减小至1019 cm-3,电阻率减小1 kΩ·cm。

• 单位
  河南科技大学