ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制

作者：乔治; 候哲哲; 刘彩池

来源：半导体技术, 2005, (04): 16-19.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2005.04.007

• 超大规模集成电路
• 直拉硅单晶
• 空洞型原生缺陷
• 快速退火 ULSI
• CZ-Si
• void-type defects
• RTA

详细阐述了COP、 LSTD 和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法。研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷, 是一种简单而有效的方法。

• 单位
  石家庄铁道学院; 河北工业大学