一种新型4H-SiC BJT结终端结构研究

作者：刘曦麟; 张波; 张有润; 邓小川

来源：微纳电子技术, 2010, (02): 76-79.

• 4H-碳化硅
• 双极型晶体管
• 结终端技术
• 击穿电压
• 数值分析 4H-SiC
• bipolar junction transistor
• junction termination technology
• breakdown voltage
• numerical analysis

设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的p+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的p+区同时形成。借助半导体数值分析软件SILVACO,对基区外围的刻蚀厚度和p+环的间距进行了优化。仿真分析结果表明,当刻蚀厚度为0.8μm,环间距分别为8,10和9μm时,能获得最高击穿电压。新结构与传统保护环(GR)和传统结终端外延(JTE)相比,BVCEO分别提高了34%和15%。利用该新型终端结构,得到共发射极电流增益β>47、共发射极击穿电压BVCEO为1 570V的4H-SiC BJT器件。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学