化学气相浸渗/反应法制备MoSi_2-SiC涂层的合成机理及其氧化性能(英文)

作者：何子博; 李贺军; 史小红; 付前刚; 吴恒

来源：Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2013, (07): 2100-2106.

• MoSi2-SiC涂层
• 沉积温度
• MTS原始分压
• 氧化性能 MoSi2-SiC coating
• deposition temperature
• initial partial pressure of MTS
• oxidation resistance

采用化学气相浸渗/反应法(CVI/CVR)在C/C复合材料表面制备MoSi2-SiC防氧化涂层。首先,制备多孔金属Mo层,然后以甲基三氯硅烷(MTS)为前驱体,利用CVI/CVR技术制备MoSi2-SiC复合涂层。采用XRD、SEM技术研究MoSi2-SiC复合涂层的制备机理,并考察涂层样品的抗氧化性能。结果表明,MTS分解的SiC填充了多孔金属Mo层中的孔隙,并与金属Mo发生反应,制备出致密的MoSi2-SiC复合涂层;在优化工艺条件下所得到的涂层样品在1500°C空气中氧化80h后质量损失仅为1.25%。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室