以TiN,In粉,Ti粉为原料,用封管烧结方法合成了Ti2InN多晶块体材料。用X射线衍射和扫描电镜表征物相和微观结构,并测试了Ti2InN样品电阻率随温度的变化。结果表明:Ti2InN样品表现为单相,呈良好的层状结构,化学组成与理论成分基本一致,电阻率随温度从300到5 K逐渐降低,5 K以上没有发现超导特性。