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摘要
本发明公开了一种平面螺旋电感,所述平面螺旋电感包括：半导体衬底；介质层,形成于所述半导体衬底上；平面螺旋电感主体,形成于所述介质层上；绝缘隔离结构,形成于所述半导体衬底中并与所述平面螺旋电感主体相对应。本发明提供的平面螺旋电感增加了绝缘隔离结构,所述绝缘隔离结构可降低平面螺旋电感的衬底损耗；并且,所述绝缘隔离结构的工艺与CMOS的前端工艺兼容,可不增加任何制备成本,提高平面螺旋电感的品质因子。
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单位华东师范大学; 上海集成电路研发中心有限公司
