基于PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB的DG SOI建模与仿真

作者：汪国芳; 刘军; 吴钰鑫; 罗琳

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2020, 40(03): 7-13.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2020.03.002

• PSP-SOI
• BSIM-IMG
• HiSIM-SOTB
• 双栅
• MOSFET
• 直流特性

基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值。实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精度分别提高了2.08%和7.10%。所以,BSIM-IMG更适用于DG SOI MOSFET器件直流特性建模。

• 单位
  杭州电子科技大学