基于NiO/(Ga-(1-x)Al-x)-2O-3 PN结漏端结构的晶体管及其制作方法

作者：韩根全; 王轶博; 刘艳; 郝跃

来源：2020-12-30, 中国, CN202011615006.1.

本发明公开了一种基于NiO/(Ga-(1-x)Al-x)-2O-3PN结漏端结构的晶体管及其制作方法,属于半导体技术领域。本发明晶体管漏端采用NiO/(Ga-(1-)-xAl-x)-2O-3PN结,利用其PN结特性及进一步可实现的NiO肖特基叠加效应,实现(Ga-(1-x)Al-x)-2O-3晶体管相同结构尺寸下更高击穿电压和更低的导通电阻,同时实现更小的静态功耗。本发明解决了现有(Ga-(1-x)Al-x)-2O-3晶体管击穿电压和导通电阻相矛盾的问题。

• 单位
  西安电子科技大学