一种具有P型GaN帽层的GaN基肖特基势垒二极管

作者：郑雪峰; 白丹丹; 马晓华; 马佩军

来源：2018-08-28, 中国, CN201810984710.0.

本发明涉及一种具有P型GaN帽层的GaN基肖特基势垒二极管,包括衬底、位于衬底上的缓冲层、位于缓冲层上的沟道层、复合势垒层、阴极、复合阳极、P型GaN帽层和钝化层,其中,复合势垒层位于沟道层上；阴极、复合阳极和P型GaN帽层均位于复合势垒层上,P型GaN帽层位于阴极和复合阳极之间,并且P型GaN帽层的长度小于等于所述阴极与所述复合阳极之间距离的一半；钝化层覆盖在阴极、复合阳极、P型GaN帽层和复合势垒层上。本发明实施例的具有P型GaN帽层的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压,使得二者同时具有较高的性能指标,改善了器件的击穿特性和可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学