p-CZT的钝化处理和C-V特性研究

作者：李强; 介万奇; 付莉; 汪晓芹; 查刚强; 杨戈

来源：半导体光电, 2006, (03): 306-308.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2006.03.023

• Au/CZT接触
• 钝化
• C-V特性 Au/CZT contacts
• passivation
• C-V characteristics

采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试。对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度b。未钝化的b为1.393 V,钝化后b变为1.512 V。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学