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摘要
本发明涉及一种基于PLC的金刚石生长位置控制方法及装置,控制方法包括步骤：获取当前时刻金刚石生长时真空腔体的第一生长温度值和耔晶载物盘的第一生长阶段位置；基于预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表,依据所述第一生长温度值确定耔晶载物盘的第二生长阶段位置；控制所述耔晶载物盘从所述第一生长阶段位置移动至所述第二生长阶段位置。该控制方法在预设的生长阶段位置和生长温度信息配方表基础上,根据第一真空腔体温度值确定耔晶载物盘位置,进而实现对耔晶载物盘位置的定位,避免人为根据经验进行调整,定位精度较高,误差较小,降低了耔晶生长的不确定因素,从而可以生长得到质量较好的金刚石耔晶。
- 单位
