高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长

作者：李亮; 李忠辉; 罗伟科; 董逊; 彭大青; 张东国

来源：人工晶体学报, 2013, (05): 915-917.

• GaN薄膜
• MOCVD
• 同质外延

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。