多失效机理下基于FIDES的MEMS失效率预计研究

作者:高成; 陈炳印*; 黄姣英; 张改丽
来源:微电子学, 2020, 50(05): 743-749.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.190631

摘要

针对MEMS在工艺和结构上的新特点以及当前国内外尚未形成与MEMS相关的失效率预计模型的研究现状,基于失效物理方法和现有FIDES标准,提出了一种MEMS失效率预计方法。在MEMS工艺影响分析基础上,结合实验数据和失效物理方法,提出了MEMS在多失效机理下的总体失效分布函数计算方法;之后,基于FIDES基本失效率预计模型,提出了MEMS的失效率预计模型及其适用的参数取值方法;最后,完成了某型MEMS高g值微加速度计的失效率预计案例。结果表明,预计模型充分考虑了MEMS在工艺和结构上的新特点以及多失效机理的共同作用,可有效解决现有标准手册不能准确反映制造工艺发展现状和手册中失效数据不适用的问题。