AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

作者：王振友; 吴海信; 倪友保; 毛明生; 黄飞; 陈林

来源：人工晶体学报, 2010, 39(01): 25-28.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.01.005

• AgGaGeS_4晶体
• 布里奇曼法
• 倍频
• 损伤阈值 AgGaGeS4 crystal
• Bridgman method
• SHG
• damage threshold

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5～9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7～7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。

• 单位
  中国科学院，安徽光学精密机械研究所; 中国科学院安徽光学精密机械研究所