在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法

作者：祝柏林; 陶冶; 杨玉婷

来源：2018-09-30, 中国, ZL201811165189.4.

本发明涉及一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO2透明导电薄膜的方法。其技术方案是：先将55～90wt％的锡粉末、5～25wt％的二氧化锡粉末和5～20wt％的二氟化锡粉末混合,压制成型,烧结,制得靶材。将靶材固定到磁控溅射系统的靶座上,将柔性衬底固定到衬底支架上；再将磁控溅射系统的腔体抽真空至压强小于3×10-3Pa,通入Ar与O2；通入的Ar与O2流量比为1∶(0.05～0.25)。再于室温条件下采用偏压射频溅射技术,在柔性衬底表面制得F掺杂SnO2透明导电薄膜。溅射时,溅射气压为0.2～3Pa,溅射功率为15～75W,衬底负偏压为0～100V。本发明工艺简单、成本低、环境友好和适于工业化生产,所制制品具有低电阻率、高透明性、稳定性优和力学性能良好的特点。

• 单位
  武汉科技大学