内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气特性分析

作者：王红培; 王广龙; 喻颖; 徐应强; 倪海桥; 牛智川; 高凤岐

来源：Acta Physica Sinica, 2013, (20): 1-6.

• 二维电子气
• InAs量子点
• 载流子浓度
• 迁移率 two-dimensional electron gas
• InAs quantum dots
• carrier concentration
• mobility

采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/AlxGa1 xAs二维电子气(2DEG)样品进行了生长.在样品生长过程中,分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离层厚度(Wd)和AlxGa1 xAs中Al组分(xAl)的大小,并在双温(300 K,78 K)条件下对生长的样品进行了霍尔测量;结合测试结果,分别对Nd,Wd及xAl与GaAs/AlxGa1 xAs 2DEG的载流子浓度和迁移率之间的关系规律进行了细致的分析讨论.生长了包含有低密度InAs量子点层的δ掺杂GaAs/AlxGa1 xAs2DEG样品,采用梯度生长法得到了不同密度的InAs量子点.霍尔测量结果表明,随着InAs量子点密度的增加,GaAs...

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学; 半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所