基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs外部寄生参数

作者：郑良川^*; 王军

来源：电子元件与材料, 2021, 40(08): 819-825.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0182

• GaN HEMTs
• PSO
• 参数
• 算法

GaN HEMTs作为第三代半导体器件,它的工作频率高,功率密度大,而且耐高温、高压,不仅是功放控制电路中的重要组成部分,也是毫米波时代5G无线通信电路中的理想射频功率器件。基于GaN HEMTs器件的19参数小信号等效电路模型,提出了一种在冷场条件下,利用粒子群优化算法(PSO)获取器件小信号模型的外部寄生参数的方法。最后通过对比不同尺寸GaN HEMTs器件在冷场偏置条件下的实际测量和仿真S参数验证了该方法的有效性。

• 单位
  西南科技大学