摘要
目的:研究局灶性脑缺血再灌注后细胞凋亡、HSP70蛋白表达时空规律以及外源VEGF及VEGF抗体对它们的影响,探讨VEGF对缺血再灌注损伤的保护作用及其机制。方法:采用原位末端标记(TUNEL)、免疫组化方法,研究局灶性脑缺血再灌注后细胞凋亡数及HSP70蛋白表达时空分布,采用脑表面使用VEGF及侧脑室注射VEGF抗体,观察内外源VEGF对它们的影响。结果:VEGF抗体能显著增加缺血侧脑组织凋亡细胞数(再灌注12h-7d)及HSP70表达量(再灌注1-3d),而外源VEGF因子能显著减少同侧脑组织凋亡细胞(再灌注全程)及HSP70表达量(再灌注1-3d)。结论:VEGF因子可抑制缺血脑组织细胞...
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单位同济大学附属东方医院