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摘要
为应对未来射电天文发展对超过十倍频程带宽接收性能的需求，实现厘米波多波段同时观测，使用法国OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工艺研究并设计一款工作频率为0.3～8 GHz的超宽带单片微波集成低噪声放大器芯片。放大器电路采用三级级联放大结构，双电源供电，芯片尺寸为2000μm×1000μm。仿真结果显示，常温下芯片在整个工作频段内增益大于40 dB,噪声温度优于65 K,在8 GHz处达到最低噪声51.4 K,无条件稳定。该芯片工作频率覆盖P,L,S,C,X五个传统天文观测频段，适用于厘米波段的超宽带接收机前端，并满足未来毫米波拓展中频带宽的需求。
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