SiC单晶片的超精密加工

作者：李娟; 陈秀芳; 马德营; 姜守振; 李现祥; 王丽; 董捷; 胡小波; 徐现刚; 王继扬; 蒋民华

来源：功能材料, 2006, (01): 70-72.

• 化学机械抛光
• 粗糙度
• 平整度 chemi-mecanical polishing
• roughness
• flatness

半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室