ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制

作者：王玮; 蔡勇; 张宝顺; 黄伟; 李海鸥

来源：固体电子学研究与进展, 2012, 32(03): 219-224.

DOI：10.3969/j.issn.1000-3819.2012.03.004

• 电感耦合等离子体
• 刻蚀
• 氮化镓
• 侧壁倾角
• 射频功率 ICP
• etch
• GaN
• sidewall slope
• RF power

深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。

• 单位
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 无锡晶凯科技有限公司; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院研究生院