硅晶圆表面氧化硅薄膜的化学沉积及温度对反应动力学的影响研究

作者：阳耀月

来源：山东化工, 2019, 48(15): 42-47.

DOI：10.19319/j.cnki.issn.1008-021x.2019.15.017

• 硅
• 二氧化硅
• 单面制绒
• 湿法制备
• 生长动力学

为推动开发硅基太阳能电池单面制绒工艺,本研究利用化学湿法在Si晶圆表面构建了均一的SiO2膜(记为SiO2@Si),动力学研究表明膜生长速率从(1.1±0.01) nm·min-1(30℃)逐渐增至(4.9±0.41) nm·min-1(70℃),这与该沉积反应的吸热特性相符。

• 单位
  西南民族大学