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摘要
半金属铋(Bi)在贵金属表面有多种多样的生长结构，本文利用扫描隧道显微术系统地研究了温度和覆盖度对Bi在Cu (111)表面生长结构的影响。通过对高Bi原子覆盖度(1.5 monolayer, ML)的样品逐步提高退火温度减少其覆盖度，在Bi-Cu界面依次获得了非公度的■和公度的[2012]吸附重构与■表面合金结构。进一步，在低覆盖度(1/3或1/4 ML)时，通过对比室温和200 K低温下Bi在Cu(111)表面的生长模式，分别形成■表面合金结构与准一维[2012]吸附重构条带，揭示了Bi原子取代Cu原子形成合金的能垒<38.81 meV。此外，对■表面合金结构的电子态研究观察到了0.25 eV能量位置的Rashba能态峰，并揭示了边界、畴界和点缺陷对Rashba能态空间分布的抑制行为。
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