溅射气压对直流磁控溅射ZnO:Al薄膜的影响(英文)

作者：孙可为; 周万城; 黄珊珊; 唐秀凤

来源：无机材料学报, 2012, (10): 1212-1216.

• ZnO:Al薄膜
• 直流磁控溅射
• 溅射气压
• 光电性质 Al-doped ZnO films
• direct current magnetron sputtering
• sputtering pressure
• electro-optical property

采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO:Al(AZO)薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和紫外–可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征.结果表明:薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小,变化曲线符合Keller-Simmons模型;薄膜均为六角纤锌矿结构,但择优取向随着溅射气压发生改变;溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响;当溅射气压为1.4 Pa时,薄膜有最低的电阻率(8.4×104 Ω·cm),高的透过率和最高的品质因子Q.

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室; 材料科学与工程学院