体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应

作者：吴旭景; 王蒙军; 吴建飞^*; 李彬鸿; 郝宁; 高见头; 李宏; 张红丽

来源：电波科学学报, 2021, 36(01): 101-108.

DOI：10.13443/j.cjors.2019081901

• 体硅
• 绝缘体上硅
• 静态随机存储器
• 直接功率注入
• 电磁敏感度
• 温度效应

考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon, Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory, SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.

• 单位
  电子信息工程学院; 国防科技大学; 河北工业大学; 中国科学院微电子研究所