摘要
考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon, Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory, SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference, EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.
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