一种基于CMOS亚阈值设计的低失调基准电路

作者:苑乔; 邹光南; 张胜辉
来源:现代电子技术, 2014, 37(05): 149-151.
DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2014.05.019

摘要

基于工作在亚阈值区域的PMOS管,提出一种叠加结构的低失调带隙基准电路。该方法将传统基准电路中倍乘的失调电压转变为均方根的形式,有效降低了基准电路的失调电压。仿真表明该基准电路的输出电压为1.07 V,3σ范围内的失调电压为6.69 mV,温度特性为21.3 ppm/℃,PSRR为-56 dB。该电路在TSMC18工艺下成功流片。

全文