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摘要
一种基于双层掺杂Al-(1-x)Sc-xN的铁电调控晶体管及其制备方法,晶体管包括衬底层及位于衬底层上的沟道层,沟道层上分布源极区、栅介质层和漏极区,栅介质层为双层掺杂结构,每层均采用Al-(1-x)Sc-xN铁电材料,其中x表示掺Sc浓度,双层掺杂结构的掺Sc浓度不同。本发明在显著提升器件性能的同时降低了晶体管的漏电流,并进一步提升了器件的电学性能、热稳定性、化学稳定性以及抗辐射性能中的部分或全部,同时使得其制备方法能与现有CMOS工艺兼容,降低生产成本,在提升性能的同时兼顾环境友好性。
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