电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜

作者：姚立勇; 敖建平; 汤勇; 曾海峰; 钟福回; 黄云翔; 毕金莲; 高守帅

来源：太阳能学报, 2015, 36(06): 1528-1532.

• CZTSe
• 电沉积
• 低硒压硒化
• 金属预制层

在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜。SnSex(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃。采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理。通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分。综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe2相很薄。实验发现较低SnSex(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6%的CZTSe太阳电池。

• 单位
  阳江市汉能工业有限公司; 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室; 南开大学; 华南理工大学