一种四通道高压抗辐射12位DAC

作者：王忠焰; 胡永菲; 髙炜祺

来源：微电子学, 2022, 52(04): 582-586.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220106

• 高压DAC
• MOS管阈值
• NMOS管环栅
• 总剂量辐射

基于0.6μm高低压兼容CMOS工艺，设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出，保证了DAC良好的单调性，提高了抗辐射能力。该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm。测试结果表明，在正负电源电压分别为±5 V时，DAC的输出范围达到-2.5～2.5 V,功耗为26.95 mW,DNL为0.41 LSB,INL为0.34 LSB,输出建立时间为6.5μs, INL匹配度为0.11 LSB。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十四研究所