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摘要
本发明公开了一种集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响的评价方法,包括以下步骤：S1：测试后道工艺介质材料的孔隙率、孔径及孔隙分布；S2：在微观尺度上,建立介质材料的分子模型,计算孔隙相关的电学、结构、力学、热学参量；S3：在宏观尺度上,进行电-热-固多物理场耦合的有限元仿真计算,模拟后道工序互连工艺过程电场、温度场、应力和变形场、宏观孔洞的形成与演化；S4：基于多尺度模拟仿真结果,分析孔隙对电、结构、热、力学性能和制造工艺过程的影响。本发明通过多尺度多物理场耦合仿真,建立介质材料-孔隙-工艺-性能的量化关系,以评价集成电路互连介质材料的孔隙对性能影响,指导介质材料及结构的设计。
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