基于级联差频GaAs微腔产生太赫兹的研究

作者：黄俊滔; 饶志明; 谢芳森^*

来源：江西师范大学学报(自然科学版), 2019, 43(05): 478-483.

DOI：10.16357/j.cnki.issn1000-5862.2019.05.07

• 级联过程
• 差频
• 太赫兹
• GaAs
• 腔相位匹配
• 太赫兹功率

以周期性极化GaAs为例,通过对3波耦合方程的分析,计算GaAs的有效非线性系数与2阶非线性系数比值、极化周期、品质因子及太赫兹功率.研究结果显示:在GaAs微腔中,有效非线性系数比值在0～1变化,最大有效非线性系数比值趋近于1,极化周期长而变化范围小,品质因子高(高Q值),存储能量大.随着有效非线性系数、较小范围内的极化周期以及品质因子的增大,太赫兹功率(强度)、效率随之显著增大.腔相位匹配补偿级联差频的失配,基于10阶级联差频GaAs微腔产生峰值功率0.267 4 MW,增大3.96倍,进一步说明基于级联差频GaAs微腔有助于产生太赫兹辐射、吸收是太赫兹源的主要影响因素之一.比较研究基于级联差频GaAs微腔与准相位匹配级联差频,前者具有更好输出特性,研究结果对基于级联差频GaAs微腔产生太赫兹具有参考价值.

• 单位
  江西师范大学