一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路

作者:来新泉; 陈廷奇; 孙昂勃; 蔚道嘉; 刘晨; 胡枭
来源:2020-01-15, 中国, ZL202010039813.7.

摘要

本发明公开了一种低失调电压高电源抑制比的带隙基准电路,该带隙基准电路包括电压调制单元(1)、带隙核心单元(2)和运算放大器单元(3);电压调制单元屏蔽电源VDD上的噪声,产生调制电压VREF为带隙核心单元和运算放大器单元供电,提高电源抑制比;带隙核心单元产生零温度系数的带隙基准电压VBG;运算放大器单元保证第一钳位电压VA与第二钳位电压VB相等,输出反馈电压VF到带隙核心单元构成反馈环路,保证带隙基准电压VBG的稳定。本发明采用电压调制单元,有效提高电源抑制比;运算放大器单元失调电压小,提高了带隙基准电压的精度。本发明具有低失调电压、高电源抑制比的特点,可用于模拟集成电路。