一种300 GHz CMOS高增益谐波混频器

作者：徐雷钧; 孙春风; 李芹; 白雪

来源：微电子学, 2019, 49(04): 482-486.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180442

• 谐波混频器
• CMOS
• 转换增益
• 片上天线

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种工作在300 GHz的高增益、3阶谐波混频器。在谐波混频器中,提出将射频电感与接收天线设计为一体的新思路,不仅避免了二者之间的匹配,还减小了芯片尺寸。该谐波混频器包括片上天线、混频模块、IF放大器等。仿真结果表明,片上环形天线的谐振频率点在300 GHz附近,射频电感在300 GHz附近为21.9 pH,混频模块的转换增益为-5.4 dB,IF放大器的电压增益为23.5 dB,谐波混频器的最大转换增益为14.9 dB。当谐波混频器的转换增益大于0 dB时,输出频率带宽为0.05～12.47 GHz。

• 单位
  东南大学; 江苏大学