用于GaN HEMT栅驱动芯片的高精度欠压保护电路

作者：陈恒江; 潘福跃; 周德金; 何宁业; 陈珍海^*

来源：电子与封装, 2021, 21(12): 56-59.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1214

• 欠压保护
• 比较器
• 高精度

设计了一种用于GaN HEMT器件栅驱动芯片、能提供快速响应高精度阈值电压的高精度欠压保护电路。该电路一方面采用宽电压摆幅和快速响应的两级比较器电路来提高处理速度;另一方面,输出整形电路采用RC低通滤波和两级施密特触发器组合滤波,以滤除高频噪声的影响,产生稳定可靠的欠压保护输出信号。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证,仿真结果显示电路功能正确,可满足GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

• 单位
  复旦大学; 黄山学院; 无锡中微爱芯电子有限公司; 清华大学无锡应用技术研究院