SiO_2层厚度的测量方法

作者：陈淑浩; 刁丹丹; 杨珂珂

来源：科技致富向导, 2011, (14): 27+55.

• 半导体工艺
• SiO_2薄膜
• 干涉法
• 膜厚

在半导体平面工艺中,SiO_2层薄膜的质量对半导体器件的成品率和性能有重要影响,因而需要对SiO_2层薄膜的厚度作必要的检查。SiO_2层厚度的测量有多种方法,其中干涉法是生产中较普遍采用的。本论文主要分析了利用干涉原理测量SiO_2层厚度的方法,介绍了干涉现象在半导体工艺上的应用。

• 单位
  信阳师范学院