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摘要
金属微纳结构在电磁及等离子体传感、能量收集、信息存储、生物技术等方面具有广泛的应用前景，而实现金属微纳结构的可控制备是保障其应用的基础。采用光刻胶掩膜实现金属(Au)定向沉积，研究了划痕表面去氧化层处理对定向沉积行为的影响，据此实现高质量金属微纳结构的制备。结果表明，光刻胶可有效起到掩膜作用，使金属能够在单晶硅表面的划痕上实现选择性定向沉积；去除划痕表面的氧化层可使沉积的金属微纳结构更为平整致密，划痕区域导电位点增多且分布均匀，更利于电化学反应发生，因而在其表面析出的单质金属更为均匀。
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单位西南交通大学; 贵州电网有限责任公司
