半导体研究所成功制备RF MEMS振荡器

来源：硅酸盐通报, 2014, 33(01): 53.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2014.01.044

• 振荡器
• 全硅
• 电子设备
• RF MEMS
• MEMS
• 研究所

<正>中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,在自然科学基金、中科院项目的支持下,经过努力探索,成功制备RF MEMS振荡器。基于微纳谐振器的MEMS振荡器,具有高频、高品质因子(>103),可与IC电路在同一芯片集成,实现系统小型化,在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。中国科学院半导体研究所成功制作了高性能全硅MEMS振荡器,基频达149 MHz,高阶频率达868

• 单位
  中科院半导体所