摘要

采用N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl-pheny1)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB):4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂体系为复合空穴传输层,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/NPB:CBP/CBP:bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-phenanthroline(BCP)/...

  • 单位
    电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 光电信息学院