单晶铱纳米压痕下位错形核与形变研究

作者：耿振博; 李双明; 钟宏; 胡锐; 刘毅; 罗锡明

来源：稀有金属材料与工程, 2018, 47(01): 255-260.

• 铱单晶
• 纳米压痕
• 异质形核
• 位错密度

对(100)和(110)不同面的铱单晶进行了纳米压痕实验,拟合计算得到(100)与(110)面上铱单晶位错激活体积分别为1.09×10-3nm3、1.23×10-3nm3,证明该实验条件下位错来源于点缺陷的非均质形核;如果位错为均质形核,则位错激活能需达到60.57eV,激活半径达到1.971nm。在对(100)和(110)面的塑性变形中位错密度进行分析时,发现它们变形后位错密度在1014m-2左右,没有出现铱单晶变形后位错密度呈指数级增加的情况;金属铱发生脆性断裂或许因为铱中极小的位错激活体积导致铱产生大量的位错源及位错间剧烈的交互作用。

• 单位
  昆明贵金属研究所; 凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学