镀膜对2.0μm锑化物激光器性能的提升

作者：黄书山; 张宇; 杨成奥; 谢圣文; 徐应强; 倪海桥; 牛智川

来源：中国激光, 2018, 45(09): 201-204.

• 激光器
• 红外
• 量子阱
• 锑化镓

基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系,制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比,同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0A时,室温连续模式下的输出功率达到300mW,最大插头效率为8.3%。镀膜器件在注入电流为2.6A时,室温连续模式下的输出功率达到380mW,最大插头效率为15.6%;另外,在0.3~2.4A的注入电流范围内,镀膜器件的插头效率均大于10.0%,激射波长均在2.0μm附近。

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学