星载Flash型FPGA单粒子翻转加固试验研究

作者：李晓亮; 罗磊; 孙毅; 于庆奎

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 16(06): 1131-1134.

• Flash型现场可编程门阵列
• 单粒子翻转加固
• 翻转率预计

针对低等级器件抗辐射能力较差的特点,需开展应用加固以满足宇航应用,对一款Flash型现场可编程门阵列(FPGA)开展抗单粒子翻转(SEU)加固设计,并利用地面模拟试验进行加固效果验证,结果表明器件加固后块随机存储器(BRAM)区翻转截面下降近2个数量级,寄存器单粒子翻转截面下降约75%,验证了加固措施的有效性。结合典型轨道环境,计算了器件在轨翻转率,BRAM区翻转率下降4～5个量级,寄存器翻转率下降2～3个量级,可为在轨应用提供指导。

• 单位
  中国空间技术研究院