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摘要
在考察InGaAs p-i-n管对锁模激光响应的实验中,发现其响应电压在经历一个快速的上升沿和缓慢的拖尾以后有一个明显的负电压.在二极管的线性响应阶段,负电压与正电压的峰值之比大约在0.18左右,且不随激光脉冲能量的增大而改变;在二极管的非线性响应阶段,随着光脉冲能量的增大,负电压逐渐变小最终消失.通过对p-in管的等效电路模型的建立以及对RLC振荡电路方程的求解,认为负电压的产生是由于二极管表现出了可观的电感特性,而负电压的消失是由于二极管的结电容随着光脉冲能量增大而增大的结果.该研究结果对InGaAs p-i-n管的设计和制造具有一定的理论指导作用.
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单位电子工程学院
