本文基于半连续体模型,利用Keating形变势从理论上研究了掺杂磷原子的硅纳米薄膜存在氧化层时,薄膜厚度对杨氏模量的影响;并且研究了氧化层的厚度对薄膜杨氏模量的影响.研究结果显示,薄膜的杨氏模量与它的厚度有关系,氧化层的存在增加了硅膜的杨氏模量,随着厚度的减小杨氏模量不断增加,最后趋于稳定;并且氧化层的厚度越大,硅纳米薄膜的杨氏模量越大.
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
